Очень серьезной проблемой для Приморского края являются резкие демографические изменения. В том числе, если можно так выразится, "техническая" демография - выезд инженерной молодежи в другие районы и за границы России.
В работе рассматривается один из путей преодоления указанной проблемы. В Центре новых современных технологий производства радиоэлектронных устройств (ЦНТ) созданы условия для применения интеллектуального потенциала выпускников. Центр создан совместными усилиями инженерной фирмы «Нивелир» и Владивостокского государственного университета экономики и сервиса (ВГУЭС). Много лет кафедра Электроники ВГУЭС проводит совместные научно-исследовательские работы в рамках договора о сотрудничестве с указанной фирмой. Основными задачами сотрудничества являются внедрение на Дальнем Востоке современных методов управления производством и качеством радиоэлектронных устройств (РЭУ), и подготовка квалифицированных кадров для предприятий отрасли с целью остановки оттока технически грамотной молодежи.
Таким образом, научно-исследовательские цели совпали с интересами вуза и производства.
ЦНТ - это небольшое опытное производство, оснащенное оборудованием для монтажа на поверхность (SMD) и проверки качества РЭУ [1, 2]. Монтаж на поверхность (SMT - Surface Mount Technology) это переход на современные методы сборки РЭУ, что обеспечивает высокое качество продукции и ее конкурентоспособность.
Инновационный потенциал Центра заключается в следующем:
- накопленный научно-технический опыт может быть использован предприятиями радиоэлектронной промышленности при обновлении технологической базы;
- подготовленные высококвалифицированные кадры обеспечат рост экспортного потенциала предприятий отрасли и постепенный отказ от импорта дешевой продукции бытовой электроники из ближнего для края зарубежья.
Научно - исследовательские интересы сотрудников Центра лежат в области контроля качества созданных устройств, которые зачастую используются в аппаратуре специального назначения при экстремальных эксплуатационных условиях. Исследования проводятся по усовершенствованному методу критических питающих напряжений [3], позволяющему определять индивидуальные технические параметры РЭУ. В методе используются такие информативные параметры как непосредственно критические питающие напряжения, так и их частотные и температурные зависимости.
К этой работе привлекаются наиболее одаренные студенты и аспиранты. Результаты этих серьезных исследований используются в дипломных и диссертационных работах.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Номоконова Н.Н., Гаврилов В.Ю. Информационно-измерительная система контроля качества интегральных электронных устройств. //Измерительная техника. Серия. Метрология. №5. 2004. 5с.
- Номоконова Н.Н., Гаврилов В.Ю. Интерфейсный блок программно-аппаратного комплекса управления качеством полупроводниковых электронных устройств. //Современные наукоемкие технологии. №1, 2005. С. 95-96.
- N.N. Nomokonova, V.Y. Gavrilov. The microelectronics lifetime estimation using fuzzy logic //Pacific Science Review. - 2003. - V.5. - No.1. - P.46-49.