На сегодняшний день существует достаточное количество методов, позволяющих получать композиционные сплавы (КС) на алюминиевой основе, но все они характеризуются существенными технологическими недостатками (длительность цикла, многоступенчатость процесса и т.д.). В СамГТУ разработан принципиально новый способ, позволяющий с применением метода самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС) синтезировать керамическую фазу Al-TiC непосредственно в расплаве алюминия. Принцип получения СВС-КС заключается в экзотермическом взаимодействии компонентов исходной шихты в количестве 10 масс.% (представляющей собой стехиометрическую смесь реагентов - чистых порошков титана и углерода) в присутствии расплава алюминия, протекающем в специально организованном режиме объемного горения. В течение 1-1,5 мин. (при объеме плавки 300 г) протекает бурная СВС-реакция, в результате которой в алюминиевой матрице образуется большое количество включений размером 1-2 мкм. Проведенные локальный рентгеноспектральный и химический анализы подтвердили наличие двух фаз - Al и TiC, а также соотношение в карбидной фазе, близкое к стехиометрическому 1:1. Экспериментальные исследования проводились на составах различных марок порошковых компонентов (отличающихся степенью чистоты, дисперсностью) и при разных температурах расплава алюминия, оптимальным было выбрано сочетание: порошок титана марки ТПП-7, порошок углерода марки П-701, чушковый алюминий марки А7, температура расплава 900°С.
Таким образом, предложенный метод СВС в расплаве имеет ряд неоспоримых преимуществ, среди которых можно выделить следующие: 1) короткий цикл синтеза; 2) низкая температура синтеза (по сравнению с традиционными технологиями); 3) снижение энергозатрат: уменьшение времени и температуры синтеза в совокупности позволяет значительно понизить себестоимость производства в целом; 4) значительное уменьшение потерь на угар и количества образующихся газообразных фторсодержащих соединений, небезопасных для здоровья человека - в предложенной технологии исключено использование покровных флюсов, а количество вводимых в расплав не превышает 0,1% от массы расплава.