В работе проведены экспериментальные исследования технологических режимов субмикронного структурирования поверхности кремниевой подложки методом фокусированных ионных пучков с использованием растровых графических шаблонов. Рассмотрены основные способы формирования растровых шаблонов в методе фокусированных ионных пучков. Установлены закономерности влияния параметров шаблона, сформированного при помощи специализированного программного продукта Unigen, и режимов травления на точность воспроизведения смоделированного профиля на подложку. Сформированы и исследованы методом атомно-силовой микроскопии экспериментальные образцы наноразмерных структур. На основании полученных результатов произведена корректировка моделей и алгоритмов, используемых для генерации шаблонов в программе Unigen. Полученные результаты могут быть использованы при формировании наноразмерных структур и разработке технологических процессов изготовления перспективной элементной базы наноэлектроники и наносистемной техники.
In experimental studies of technological modes of silicon substrate surface submicron structuring by focused ion beams using a raster pattern. The key methods for forming raster pattern in the method of focused ion beams. The regularities of the influence of template parameters, formed by specialized software Unigen, and modes of milling accuracy simulated profile on the substrate. Formed and analyzed by atomic force microscopy experimental models of nanoscale structures. Based on these results readjusted models and algorithms used to generate patterns in the program Unigen. The results can be used in the formation of nanoscale structures and the development of manufacturing processes perspective element base nanoelectronics and nanosystem technology.
1. Исследование режимов субмикронного профилирования поверхности подложек кремния методом фокусированных ионных пучков / О.А. Агеев, А.С. Коломийцев, А.Л. Громов и др. // Известия Южного федерального университета. Технические науки. – 2011. – Т. 117. – № 4. – С. 171–180.
2. Агеев О.А., Коломийцев А.С. Исследование параметров взаимодействия фокусированных ионных пучков с подложкой // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 89. – С. 20–25.
3. Агеев О.А., Коломийцев А.С., Михайличенко А.В. и др. Получение наноразмерных структур на основе нанотехнологического комплекса НАНОФАБ НТК-9 // Известия ЮФУ. Технические науки. – 2011. – Т. 114. – № 1. – С. 109–116.
4. Коноплев Б.Г., Агеев О.А., Коломийцев А.С. Формирование наноразмерных структур на кремниевой подложке методом фокусированных ионных пучков // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 87. – С. 29–34.
5. Коноплев Б.Г., Агеев О.А. Элионные и зондовые нанотехнологии для микро- и наносистемной техники // Известия ЮФУ. Технические науки. – 2008. – Т.89. – № 12. – С. 165–175.
6. Лучинин В.В. Нанотехнологии: физика, процессы, диагностика, приборы – М: Физматлит, 2006. – 552 с.
7. Чаплыгин Ю.А. Нанотехнологии в электронике – М.: Техносфера, 2005. – 448 с.
8. Giannuzzi L.A., Stevie F.A. Introduction to focused ion beams: instrumentation, theory, techniques and practice. – New York: Springer, 2004 – 357 p.
9. Wilhelmi O. Nanofabrication and rapid prototyping with Dual Beam instruments // FEI Company application note. – 2007. – URL: http://www.fei.com (дата обращения: 26.08.2012).