<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xsi:noNamespaceSchemaLocation="JATS-archive-oasis-article1-4.xsd" article-type="research-article" dtd-version="1.4" xml:lang="ru">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-title-group>
        <journal-title>Журнал Фундаментальные исследования</journal-title>
      </journal-title-group>
      <issn>1812-7339</issn>
      <publisher>
        <publisher-name>Общество с ограниченной ответственностью &amp;quot;Издательский Дом &amp;quot;Академия Естествознания&amp;quot;</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>
      <article-id pub-id-type="publisher-id">ART-30549</article-id>
      <title-group>
        <article-title>УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭКСПЛУАТАЦИОННЫХ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ МАТЕРИАЛОВ МЕМРИСТОРОВ</article-title>
      </title-group>
      <contrib-group>
        <contrib contrib-type="author">
          <name-alternatives>
            <name xml:lang="ru">
              <surname>Кравченко</surname>
              <given-names>Е.И.</given-names>
            </name>
          </name-alternatives>
          <name-alternatives>
            <name xml:lang="en">
              <surname>Kravchenko</surname>
              <given-names>E.I.</given-names>
            </name>
          </name-alternatives>
          <email>oley_alenka@mail.ru</email>
          <xref ref-type="aff" rid="affa30a1b91"/>
        </contrib>
        <contrib contrib-type="author">
          <name-alternatives>
            <name xml:lang="ru">
              <surname>Петров</surname>
              <given-names>В.В.</given-names>
            </name>
          </name-alternatives>
          <name-alternatives>
            <name xml:lang="en">
              <surname>Petrov</surname>
              <given-names>V.V.</given-names>
            </name>
          </name-alternatives>
          <email>oley_alenka@mail.ru</email>
          <xref ref-type="aff" rid="affa30a1b91"/>
        </contrib>
        <contrib contrib-type="author">
          <name-alternatives>
            <name xml:lang="ru">
              <surname>Рыжук</surname>
              <given-names>Р.В.</given-names>
            </name>
          </name-alternatives>
          <name-alternatives>
            <name xml:lang="en">
              <surname>Ryzhuk</surname>
              <given-names>R.V.</given-names>
            </name>
          </name-alternatives>
          <email>oley_alenka@mail.ru</email>
          <xref ref-type="aff" rid="aff451e2013"/>
        </contrib>
      </contrib-group>
      <aff id="affa30a1b91">
        <institution xml:lang="ru">ФГАОУ ВПО «Южный федеральный университет»</institution>
        <institution xml:lang="en">Southern Federal University</institution>
      </aff>
      <aff id="aff451e2013">
        <institution xml:lang="ru">ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»</institution>
        <institution xml:lang="en">National Research Nuclear University «Moscow Engineering Physics Institute»</institution>
      </aff>
      <pub-date date-type="pub" iso-8601-date="2012-11-01">
        <day>01</day>
        <month>11</month>
        <year>2012</year>
      </pub-date>
      <issue>11</issue>
      <fpage>416</fpage>
      <lpage>419</lpage>
      <permissions>
        <license xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/">
          <license-p>This is an open-access article distributed under the terms of the CC BY 4.0 license.</license-p>
        </license>
      </permissions>
      <self-uri content-type="url" hreflang="ru">https://fundamental-research.ru/ru/article/view?id=30549</self-uri>
      <abstract xml:lang="ru" lang-variant="original" lang-source="author">
        <p>Разработано устройство для исследования эксплуатационных характеристик и&amp;#8239;электрофизических свойств полупроводниковых материалов и&amp;#8239;процессов, протекающих в&amp;#8239;полупроводниках. Данное устройство позволит проводить отбор наилучшего материала для создания мемристоров. В&amp;#8239;работе приведена структурная схема разработанного устройства, включающего в&amp;#8239;себя набор компонентов, реализуемых на основе синтезированных электронных устройств, стандартизированном метрологическом оборудовании и&amp;#8239;высокопроизводительной вычислительной технике. Данное устройство позволяет исследовать одновременно от 1 до 16&amp;#8239;полупроводниковых элементов. С&amp;#8239;помощью устройства можно оценить устойчивость мемристоров к&amp;#8239;воздействию температуры, влажности, особенностей состава атмосферного воздуха. Особенностью устройства является наличие прижимных контактов, что избавляет от необходимости пайки контактов. Данная особенность очень важна на этапе создания опытных образцов микропроцессорной техники. Для разработки отдельных элементов устройства проведено предварительное их моделирование с&amp;#8239;помощью специального программного обеспечения. По результатам моделирования выбраны оптимальные размеры функциональных частей устройства и&amp;#8239;создан опытный образец разработанного устройства.</p>
      </abstract>
      <abstract xml:lang="en" lang-variant="translation" lang-source="translator">
        <p>The device for research of operating characteristics, electro-physical properties and processes occurring in semiconductors has been developed. This device allows selecting the best material for memristors creating. There is a block diagram of the developed device in this paper. The device consists of the set of components that are realized on the basis of synthesized electronic devices, standard metrological equipment and high-performance computing. It is possible to explore up to 16 semiconductor elements at the same time in this device. The resistance of memristors to temperature, humidity and air content can be evaluated by this device. One of the special features of the device is using of spring contacts, so there is no need to solder contacts. This feature is very important on the stage of prototypes making. Some of the functional parts of this device have been modeled by means of special software. The modeling allowed choosing the optimal size of functional units of the device and the best material for their creating.</p>
      </abstract>
      <kwd-group xml:lang="ru">
        <kwd>полупроводник</kwd>
        <kwd>мемристор</kwd>
        <kwd>микропроцессорная техника.</kwd>
      </kwd-group>
      <kwd-group xml:lang="en">
        <kwd>semiconductor</kwd>
        <kwd>memristor</kwd>
        <kwd>microprocessor technology</kwd>
      </kwd-group>
    </article-meta>
  </front>
  <back>
    <ref-list>
      <ref>
        <note>
          <p>1.&amp;#8239;Елисеев Н. Мемристоры и&amp;#8239;процессоры// Электроника: Наука, технология, бизнес. – 2010. – № 8. – С. 85–89.</p>
        </note>
      </ref>
      <ref>
        <note>
          <p>2.&amp;#8239;Попов В.С. Электротехнические измерения и&amp;#8239;приборы. – М., 1963. – С. 544.</p>
        </note>
      </ref>
      <ref>
        <note>
          <p>3.&amp;#8239;Agilent 34401A Multimeter, Datashet. URL:http://literature.agilent.com (дата обращения 12.02.2010).</p>
        </note>
      </ref>
      <ref>
        <note>
          <p>4.&amp;#8239;Chua L.O. Memristor -the missing circuit element// IEEE Trans. Circuit Theory. – 1971. – Vol. 18. – P. 507–519.</p>
        </note>
      </ref>
      <ref>
        <note>
          <p>5.&amp;#8239;High Performance, 4-/8-Channel, Fault-Protected Analog Multiplexers, Datasheet. – URL: http://www.analog.com/static/imported-files/data_sheets/ADG438F_439F.pdf (дата обращения: 05.02.2010).</p>
        </note>
      </ref>
    </ref-list>
  </back>
</article>
