Для моделирования мемристоров, применяемых в качестве элементов оперативной памяти, разработана схемотехническая модель, которую можно использовать в средствах проектирования сверхбольших интегральных схем (СБИС), таких как система автоматизированного проектирования (САПР) Cadence. Предложенная модель предназначена для использовании в САПР при проектировании элементов и блоков энергонезависимой памяти на базе мемристоров. Функциональные блоки модели разработаны на языке Spectre. Отличие ее от аналогов заключается в механизме преобразования промежуточной величины, отвечающей за эффект памяти, в сопротивление мемристора, что отражено в приводимом авторами выражении. Кроме того, введенные пороги ограничения позволяют многократно перепрограммировать элементы памяти, построенные на основе разработанной модели. Исследованы особенности функционирования мемристора в граничных состояниях. На модели получена вольт-амперная характеристика мемристора.

For modeling memristors used as elements of memory, designed circuitry model that can be used in a design tool VLSI circuits, such as computer-aided design (CAD) Cadence. The proposed model is designed for use in CAD for design elements and blocks of non-volatile memory based on memristors. The function blocks are designed in a model language Spectre. Unlike its counterparts of the mechanism is to convert the intermediate value corresponding to a memory effect in the resistance of the memristor, which is reflected in the reducible sponsored expression. In addition, the thresholds imposed restrictions allow repeatedly reprogram the memory elements that are based on the developed model. The features of the functioning of the memristor in the boundary conditions. On the model obtained current-voltage characteristic of the memristor.