<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xsi:noNamespaceSchemaLocation="JATS-archive-oasis-article1-4.xsd" article-type="research-article" dtd-version="1.4" xml:lang="ru">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-title-group>
        <journal-title>Журнал Фундаментальные исследования</journal-title>
      </journal-title-group>
      <issn>1812-7339</issn>
      <publisher>
        <publisher-name>Общество с ограниченной ответственностью &amp;quot;Издательский Дом &amp;quot;Академия Естествознания&amp;quot;</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>
      <article-id pub-id-type="publisher-id">ART-30546</article-id>
      <title-group>
        <article-title>ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ БЛОКИ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМЫХ ПЛИС НА ОСНОВЕ МЕМРИСТОРНЫХ ЯЧЕЕК ПАМЯТИ</article-title>
      </title-group>
      <contrib-group>
        <contrib contrib-type="author">
          <name-alternatives>
            <name xml:lang="ru">
              <surname>Кальсков</surname>
              <given-names>А.В.</given-names>
            </name>
          </name-alternatives>
          <name-alternatives>
            <name xml:lang="en">
              <surname>Kalskov</surname>
              <given-names>A.V.</given-names>
            </name>
          </name-alternatives>
          <email>andr@fep.tti.sfedu.ru</email>
          <xref ref-type="aff" rid="afff684e8c8"/>
        </contrib>
        <contrib contrib-type="author">
          <name-alternatives>
            <name xml:lang="ru">
              <surname>Ковалев</surname>
              <given-names>А.В.</given-names>
            </name>
          </name-alternatives>
          <name-alternatives>
            <name xml:lang="en">
              <surname>Kovalev</surname>
              <given-names>A.V.</given-names>
            </name>
          </name-alternatives>
          <email>andr@fep.tti.sfedu.ru</email>
          <xref ref-type="aff" rid="afff684e8c8"/>
        </contrib>
        <contrib contrib-type="author">
          <name-alternatives>
            <name xml:lang="ru">
              <surname>Коробкова</surname>
              <given-names>А.И.</given-names>
            </name>
          </name-alternatives>
          <name-alternatives>
            <name xml:lang="en">
              <surname>Korobkova</surname>
              <given-names>A.I.</given-names>
            </name>
          </name-alternatives>
          <email>andr@fep.tti.sfedu.ru</email>
          <xref ref-type="aff" rid="affefdf3e12"/>
        </contrib>
      </contrib-group>
      <aff id="afff684e8c8">
        <institution xml:lang="ru">ФГАОУ ВПО «Южный федеральный университет»</institution>
        <institution xml:lang="en">Southern Federal University</institution>
      </aff>
      <aff id="affefdf3e12">
        <institution xml:lang="ru">Институт химии силикатов имени И.В. Гребенщикова Российской академии наук</institution>
        <institution xml:lang="en">Institute of Silicate Chemistry I.V. Grebenschikova, Russian Academy of Sciences</institution>
      </aff>
      <pub-date date-type="pub" iso-8601-date="2012-11-01">
        <day>01</day>
        <month>11</month>
        <year>2012</year>
      </pub-date>
      <issue>11</issue>
      <fpage>402</fpage>
      <lpage>405</lpage>
      <permissions>
        <license xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/">
          <license-p>This is an open-access article distributed under the terms of the CC BY 4.0 license.</license-p>
        </license>
      </permissions>
      <self-uri content-type="url" hreflang="ru">https://fundamental-research.ru/ru/article/view?id=30546</self-uri>
      <abstract xml:lang="ru" lang-variant="original" lang-source="author">
        <p>В статье рассмотрен подход к&amp;#8239;решению проблемы повышения интеграции блоков памяти с&amp;#8239;помощью применения мемристоров, которые занимают меньшую площадь, чем запоминающие ячейки на основе транзисторов, имеют достаточно высокое быстродействие, а&amp;#8239;также энергонезависимы (при отключении питания мемристор сохраняет свое состояние проводимости). Для моделирования ячейки памяти в&amp;#8239;системе автоматизированного проектирования (САПР) Cadence была разработана схемотехническая модель мемристора. На ее основе разработана ячейка памяти, состоящая из трех основных составляющих частей: ячейка памяти, схема записи и&amp;#8239;схема считывания. Проанализированы преимущества данной схемной реализации (в 20–25&amp;#8239;раз меньшая площадь по сравнению с&amp;#8239;ячейками памяти на транзисторах), а&amp;#8239;также возможность разработки табличных преобразователей для функциональных блоков программируемых логических интегральных схем (ПЛИC) на их основе.</p>
      </abstract>
      <abstract xml:lang="en" lang-variant="translation" lang-source="translator">
        <p>This article describes an approach to the problem of improving the integration of memory blocks by applying the memristor, which occupies less storage space than the cell-based transistors have high enough speed, as well as nonvolatile (at power memristor retains its state of conductivity). To model the memory cells in computer-aided design (CAD) Cadence schematic model was developed memristor. On its basis the memory cell, consisting of three main component parts: memory, the circuit diagram of the recording and reading. The advantages of the circuit realization of (20–25&amp;#8239;times less area compared to the transistor memory cells), as well as developing a spreadsheet converter for function blocks of field programmable gate array (FPGA) based on them.</p>
      </abstract>
      <kwd-group xml:lang="ru">
        <kwd>мемристоры</kwd>
        <kwd>функциональные блоки</kwd>
        <kwd>программируемые логические интегральные схемы (ПЛИС)</kwd>
      </kwd-group>
      <kwd-group xml:lang="en">
        <kwd>memristors</kwd>
        <kwd>functional blocks</kwd>
        <kwd>field-programmable gate array (FPGA)</kwd>
      </kwd-group>
    </article-meta>
  </front>
  <back>
    <ref-list>
      <ref>
        <note>
          <p>1.&amp;#8239;Chua L.O. Memristor–the missing circuit element // IEEE Trans. Circuit Theory, CT-18, 1971. – №. 5. – Р. 507–519.</p>
        </note>
      </ref>
      <ref>
        <note>
          <p>2.&amp;#8239;Hackett N.G., Hamadani B., Dunlap B. at al. A flexible solution-processed memristor // IEEE Electron Devic. Lett. – July 2009. – Vol. 30, №. 7. – Р. 706–708.</p>
        </note>
      </ref>
      <ref>
        <note>
          <p>3.&amp;#8239;Strukov D.B., Snider G.S., Stewart D.R., Williams R.S. The missing memristor found // Nature, 453. – 2008. – Р. 80–83.</p>
        </note>
      </ref>
      <ref>
        <note>
          <p>4.&amp;#8239;Wuttig M. and Yamada N. 2007 Phase-change materials for rewriteable data storage Nat. Mater. 6 824–32.</p>
        </note>
      </ref>
      <ref>
        <note>
          <p>5.&amp;#8239;Yang J.., Pickett M.D., Li X. at al. Memristive switching mechanism for metal/oxide/metal nanodevices // Nat. Nanotechnol. – June 2008. – Vol. 3. – Р. 429–433.</p>
        </note>
      </ref>
    </ref-list>
  </back>
</article>
